Toshiba TRS6E65C,S1AQ(S Diode, 650V SiC Schottky, 6A, 2-Pin TO-220 1.7V

Dette produkt er udgået

Tekniske referencer

Et sortiment af siliciumkarbid (SiC) Schottky-dioder fra Toshiba, som er velegnede til anvendelser med høj effektivitet og høje hastighedsskift.

Tabsfattig og højeffektiv effektkonvertering
Lille lækstrøm
Højhastighedskobling
Genoprettelseskarakteristik uafhængig af temperatur

Dioder og ensrettere, Toshiba

Attribute	Value
Monteringstype	Hulmontering
Kapslingstype	TO-220
Gennemgangsstrøm kontinuerlig maks.	6A
Periodisk spidsspænding i spærreretning	650V
Diode-konfiguration	Enkelt
Diodetype	Schottky
Benantal	2
Maks. spændingsfald i gennemgangsretning	1.7V
Antal elementer per chip	1
Diode-teknologi	SiC Schottky
Ikke-periodisk spids-gennemgangs-stødstrøm	30A