IDP30E120XKSA1, Omskifterdiode Silicon Junction, 2 ben, TO-220 2.15V

RS-varenummer:: 110-7168
Producentens varenummer:: IDP30E120XKSA1
Brand:: Infineon

IDP30E120XKSA1, Omskifterdiode Silicon Junction, 2 ben, TO-220 2.15V

390 På lager til afsendelse samme dag

Dag til dag levering ikke mulig

Tilføjet

Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 10)

Kr. 15,184

(ekskl. moms)

Kr. 18,98

(inkl. moms)

Enheder	Pr stk.	Pr pakke*
10 - 10	Kr. 15,184	Kr. 151,84
20 - 90	Kr. 9,387	Kr. 93,87
100 - 190	Kr. 9,148	Kr. 91,48
200 - 490	Kr. 8,909	Kr. 89,09
500 +	Kr. 8,684	Kr. 86,84

RS-varenummer:: 110-7168
Producentens varenummer:: IDP30E120XKSA1
Brand:: Infineon

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Emitterkontrollerede dioder til hurtigt skift, Infineon

Infineon skiftende emitterkontrollerede dioder er Rapid 1 og Rapid 2 serier samt 600 V/1200 V ultra-bløde dioder. Dioder fungerer i forskellige anvendelser fra Telecom, UPS, svejsning, AC-DC og ultra-blød version virker på motordrev op til 30 kHz.

Rapid 1 diode skifter mellem 18 kHz og 40 kHz
1,35 V temperaturstabil gennemgangsspænding
Velegnet til effektfaktorkorrektion (PFC) topologier

Hurtige 2 diode skifter mellem 40 kHz og 100 kHz
Lav omvendt genoprettelsesstrøm: gennemgangsspænding udveksling til BIC ydeevne
Lav omvendt genopretningstid
Lavt tændingstab ved boostomskifter

Ultra-hurtig diode 600 V/1200 V emitterstyret teknologi
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC-standarden
God EMI adfærd
Lavt ledningstab
Let parallelkobling

Dioder og ensrettere, Infineon

Egenskaber

Attribute	Value
Diode-konfiguration	Enkelt
Monteringstype	Hulmontering
Antal elementer per chip	1
Kapslingstype	TO-220
Diode-teknologi	Silicon Junction
Benantal	2
Maks. spændingsfald i gennemgangsretning	2.15V
Driftstemperatur min.	-55 °C
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Længde	10.2mm
Bredde	4.5mm
Højde	15.95mm
Dimensioner	10.2 x 4.5 x 15.95mm
Effektafsættelse	138W

RS-varenummer:: 110-7168
Producentens varenummer:: IDP30E120XKSA1
Brand:: Infineon