KEMET, AEC-Q200 R76_125C, Filmkondensator, 560pF, ±5%, 1 kV dc, 600 V ac, Hulmontering

Der er mulighed for mængderabat

Indhold 100 enheder (leveres i en pose)*

Kr. 184,90

(ekskl. moms)

Kr. 231,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 650 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Pr stk.
100 - 225Kr. 1,849
250 - 475Kr. 1,771
500 +Kr. 1,682

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
192-8580P
Producentens varenummer:
R76QF056050H0J
Brand:
KEMET
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

KEMET

Kapacitans

560pF

Spænding

1 kV dc, 600 V ac

Monteringstype

Hulmontering

Tolerance

±5%

Serie

R76_125C

Bilindustristandarder

AEC-Q200

Tilledningsafstand

10mm

Længde

13mm

Dybde

4mm

Tilledningslængde

25mm

Højde

9mm

Ækvivalent seriemodstand

1.137mΩ

Dimensioner

13 x 4 x 9mm

Dielektrikum

Polypropylen

Terminaltype

Lodde

Driftstemperatur maks.

+125°C

Kapsling/hus

50

Driftstemperatur min.

-55°C

Tilledningsdiameter

0.6mm

Tabsfaktor

≤0.1%

COO (Country of Origin):
CN
R76-serien er fremstillet af polypropylenfilm og dobbelt metalliseret polyesterfilm som elektroder med radiale tilledninger af fortinnet tråd. De radiale tilledninger er elektrisk svejset til metallaget på enderne af kondensatorviklingen. Kondensatoren er indkapslet i et selvslukkende plasthus, der er modstandsdygtigt over for opløsningsvæsker, med termohærdende harpiksmateriale. To forskellige viklingskonstruktioner bruges afhængigt af spændingsparametre.

Spændingsområde: 100 – 2.000 V dc
Kapacitet: 100 pF - 15 μF
Ledningsafstand: 10 mm - 37,5 mm
Kapacitetstolerance: ±2,5%, ±5%, ±10%
Driftstemperaturområde på -55 °C til +125 °C
Kan bruges i barske miljøer
Blyfrie termineringer
Tape- og rulleemballage
Selvreparerende
Anvendelsesområder
Typiske anvendelser omfatter resonanskredsløb, højfrekvent højstrøm, snubber og siliciumstyret ensretter (SCR og IGBT) og SiC (f.eks. MOSFET) kommutationskredsløb samt anvendelser med høj spænding og høj strøm i kombination med høj omgivende temperatur.