- RS-varenummer:
- 124-2987
- Producentens varenummer:
- FM25V02A-G
- Brand:
- Cypress Semiconductor
Dette produkt er udgået
- RS-varenummer:
- 124-2987
- Producentens varenummer:
- FM25V02A-G
- Brand:
- Cypress Semiconductor
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.
Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
256-Kbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM)
Logisk organiseret som 32K x 8
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Meget hurtig seriel periferiinterface (SPI)
Op til 40 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel flash og EEPROM
Understøtter SPI-tilstand 0 (0, 0) og funktion 3 (1, 1)
Avanceret skrivebeskyttelse
Hardwarebeskyttelse ved hjælp af Write Protect-stiften (WP)
Softwarebeskyttelse ved hjælp af instruktionen Write Disable
Softwareblokbeskyttelse til 1/4, 1/2 eller hele systemet
Enheds-ID
Producent-ID og produkt-ID
Lavt effektforbrug
2,5-mA aktiv strøm ved 40 MHz
150-μA standby-strøm
8-μA strøm i dvaletilstand
Lavspændingsdrift: VDD = 2,0 V til 3,6 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
Pakker
8-polet hus med lille omrids integreret kredsløb (SOIC)
8-benet dobbelt fladt hus uden ledninger (DFN)
Logisk organiseret som 32K x 8
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Meget hurtig seriel periferiinterface (SPI)
Op til 40 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel flash og EEPROM
Understøtter SPI-tilstand 0 (0, 0) og funktion 3 (1, 1)
Avanceret skrivebeskyttelse
Hardwarebeskyttelse ved hjælp af Write Protect-stiften (WP)
Softwarebeskyttelse ved hjælp af instruktionen Write Disable
Softwareblokbeskyttelse til 1/4, 1/2 eller hele systemet
Enheds-ID
Producent-ID og produkt-ID
Lavt effektforbrug
2,5-mA aktiv strøm ved 40 MHz
150-μA standby-strøm
8-μA strøm i dvaletilstand
Lavspændingsdrift: VDD = 2,0 V til 3,6 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
Pakker
8-polet hus med lille omrids integreret kredsløb (SOIC)
8-benet dobbelt fladt hus uden ledninger (DFN)
FRAM (Ferroelectric RAM)
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.
Egenskaber
Attribute | Value |
---|---|
Memory-størrelse | 256kbit |
Organisation | 32 K x 8 bit |
Interface-type | SPI |
Databusbredde | 8bit |
Monteringstype | Overflademontering |
Kapslingstype | SOIC |
Benantal | 8 |
Dimensioner | 4.97 x 3.98 x 1.47mm |
Driftsforsyningsspænding maks. | 3,6 V |
Driftstemperatur maks. | +85 °C |
Driftsforsyningsspænding min. | 2 V |
Antal Bits per ord | 8bit |
Antal ord | 32K |
Driftstemperatur min. | -40 °C |