FM28V100-TG, Parallel FRAM-hukommelse 1Mbit, 128 K x 8 bit, 60ns, 32 ben, TSOP
- RS-varenummer:
- 171-0960
- Producentens varenummer:
- FM28V100-TG
- Brand:
- Cypress Semiconductor
Dette produkt er udgået
- RS-varenummer:
- 171-0960
- Producentens varenummer:
- FM28V100-TG
- Brand:
- Cypress Semiconductor
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- US
Generel produktinformation
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.
Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
FRAM (Ferroelectric RAM)
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Memory-størrelse | 1Mbit |
| Organisation | 128 K x 8 bit |
| Interface-type | Parallel |
| Random access-tid maks. | 60ns |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Kapslingstype | TSOP |
| Benantal | 32 |
| Dimensioner | 11.9 x 8.1 x 1.05mm |
| Driftsforsyningsspænding maks. | 3,6 V |
| Driftstemperatur maks. | +85 °C |
| Antal ord | 128K |
| Antal Bits per ord | 8bit |
| Driftsforsyningsspænding min. | 2 V |
| Driftstemperatur min. | -40 °C |