AEC-Q100 FM24C04B-G, Seriel - 2-leder, Seriel - I2C FRAM-hukommelse 4kbit, 512 x 8 bit, 3000ns, 4,5 V til 5,5 V, -40 °C
- RS-varenummer:
- 125-4207
- Producentens varenummer:
- FM24C04B-G
- Brand:
- Infineon
10 På lager for afsendelse samme dag
5 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 5)
kr 15,678
(ekskl. moms)
kr 19,598
(inkl. moms)
Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
5 - 10 | kr 15,678 | kr 78,39 |
15 - 25 | kr 12,642 | kr 63,21 |
30 - 95 | kr 12,386 | kr 61,93 |
100 - 495 | kr 10,966 | kr 54,83 |
500 + | kr 10,652 | kr 53,26 |
- RS-varenummer:
- 125-4207
- Producentens varenummer:
- FM24C04B-G
- Brand:
- Infineon
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.
Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
2-Mbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk organiseret som 128 K x 16
Kan konfigureres som 256 K x 8 ved hjælp af UB og LB
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Betjening af sidetilstand til 30 ns cyklustid
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Kompatibel med SRAM
Branchestandard 128 K x 16 SRAM-pinout
60-ns adgangstid, 90-ns cyklustid
Avancerede funktioner
Softwareprogrammerbar blokskrivebeskyttelse
Fremragende til SRAM-moduler med batteribackup
Ingen batteriproblemer
Monolitisk pålidelighed
Ægte overflademonteringsløsning, ingen ændringsarbejde
Uovertruffen til fugt, stød og vibrationer
Lavt effektforbrug
Aktiv strøm 7 mA (typisk)
Standbystrøm 120 μA (typisk)
Lavspændingsdrift: VDD = 2,0 V til 3,6 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
44-benet tyndt, lille omrids hus (TSOP) type II
Kan konfigureres som 256 K x 8 ved hjælp af UB og LB
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Betjening af sidetilstand til 30 ns cyklustid
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Kompatibel med SRAM
Branchestandard 128 K x 16 SRAM-pinout
60-ns adgangstid, 90-ns cyklustid
Avancerede funktioner
Softwareprogrammerbar blokskrivebeskyttelse
Fremragende til SRAM-moduler med batteribackup
Ingen batteriproblemer
Monolitisk pålidelighed
Ægte overflademonteringsløsning, ingen ændringsarbejde
Uovertruffen til fugt, stød og vibrationer
Lavt effektforbrug
Aktiv strøm 7 mA (typisk)
Standbystrøm 120 μA (typisk)
Lavspændingsdrift: VDD = 2,0 V til 3,6 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
44-benet tyndt, lille omrids hus (TSOP) type II
FRAM (Ferroelectric RAM)
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.
Egenskaber
Attribute | Value |
---|---|
Memory-størrelse | 4kbit |
Organisation | 512 x 8 bit |
Interface-type | Seriel - 2-leder, Seriel - I2C |
Databusbredde | 8bit |
Random access-tid maks. | 3000ns |
Monteringstype | Overflademontering |
Kapslingstype | SOIC |
Benantal | 8 |
Dimensioner | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Længde | 4.97mm |
Bredde | 3.98mm |
Driftsforsyningsspænding maks. | 5,5 V |
Højde | 1.48mm |
Driftstemperatur maks. | +85 °C |
Antal ord | 512 |
Antal Bits per ord | 8bit |
Driftstemperatur min. | -40 °C |
Bilindustristandarder | AEC-Q100 |
Driftsforsyningsspænding min. | 4,5 V |