AEC-Q100 FM25640B-G, SPI FRAM-hukommelse 64kbit, 8 K x 8 bit, 20ns, 4,5 V til 5,5 V, -40 °C til +85 °C, 8 ben, SOIC
- RS-varenummer:
- 188-5410
- Producentens varenummer:
- FM25640B-G
- Brand:
- Infineon
Varen er desværre i restordre, forventet afsendelsesdato 07-04-2025
Pris pr. stk. Pr. stk. (i rør á 97)
kr 30,478
(ekskl. moms)
kr 38,098
(inkl. moms)
Enheder | Pr stk. | Per Tube* |
97 - 97 | kr 30,478 | kr 2,956,366 |
194 - 194 | kr 27,309 | kr 2,648,973 |
291 - 485 | kr 27,186 | kr 2,637,042 |
582 - 970 | kr 26,15 | kr 2,536,55 |
1067 + | kr 24,779 | kr 2,403,563 |
- RS-varenummer:
- 188-5410
- Producentens varenummer:
- FM25640B-G
- Brand:
- Infineon
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- US
Generel produktinformation
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.
Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
64-Kbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk organiseret som 8K x 8
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Meget hurtig seriel periferiinterface (SPI)
Op til 20 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel flash og EEPROM
Understøtter SPI-tilstand 0 (0, 0) og funktion 3 (1, 1)
Avanceret skrivebeskyttelse
Hardwarebeskyttelse ved hjælp af Write Protect-stiften (WP)
Softwarebeskyttelse ved hjælp af instruktionen Write Disable
Softwareblokbeskyttelse til 1/4, 1/2 eller hele systemet
Lavt effektforbrug
250 μA aktiv strøm ved 1 MHz
4 μA (typ) standbystrøm
Spændingsdrift: VDD = 4,5 V til 5,5 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
8-polet hus med lille omrids integreret kredsløb (SOIC)
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Meget hurtig seriel periferiinterface (SPI)
Op til 20 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel flash og EEPROM
Understøtter SPI-tilstand 0 (0, 0) og funktion 3 (1, 1)
Avanceret skrivebeskyttelse
Hardwarebeskyttelse ved hjælp af Write Protect-stiften (WP)
Softwarebeskyttelse ved hjælp af instruktionen Write Disable
Softwareblokbeskyttelse til 1/4, 1/2 eller hele systemet
Lavt effektforbrug
250 μA aktiv strøm ved 1 MHz
4 μA (typ) standbystrøm
Spændingsdrift: VDD = 4,5 V til 5,5 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
8-polet hus med lille omrids integreret kredsløb (SOIC)
FRAM (Ferroelectric RAM)
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.
Egenskaber
Attribute | Value |
---|---|
Memory-størrelse | 64kbit |
Organisation | 8 K x 8 bit |
Interface-type | SPI |
Databusbredde | 8bit |
Random access-tid maks. | 20ns |
Monteringstype | Overflademontering |
Kapslingstype | SOIC |
Benantal | 8 |
Dimensioner | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Længde | 4.97mm |
Bredde | 3.98mm |
Driftsforsyningsspænding maks. | 5,5 V |
Højde | 1.48mm |
Driftstemperatur maks. | +85 °C |
Bilindustristandarder | AEC-Q100 |
Antal ord | 8k |
Driftsforsyningsspænding min. | 4,5 V |
Driftstemperatur min. | -40 °C |
Antal Bits per ord | 8bit |