Infineon IR2011SPBF, MOSFET gate-driver, 1 A, 20V, 8 Ben, SOIC

Gate-driver-IC'er fra Infineon til at styre MOSFET- eller IGBT-strømenheder i høj-side- og lav-side-konfigurationer.

200 V high- og low side-driver-IC med typisk 1 A kilde og 1 A strømoptag i 8-leder SOIC-hus til IGBT'er og MOSFET'er. Fås også som 8-leder PDIP.

Oversigt over egenskaber:
Svævende kanal designet til bootstrap-drift, dV/dt-immun
Fuldt funktionsdygtig op til 200 V Tåler negativ transientspænding
Tåler negativ transientspænding
dV/dt-immun
Gate-drive forsyningsområde fra 10 V til 20 V
Uafhængige low- og high side-kanaler
Indgangslogik HIN/LIN aktiv høj
Spærring ved underspænding for begge kanaler
Kompatibel med 3,3 V og 5 V indgangslogik
CMOS Schmitt-udløste indgange med pull-down
Matchet signalforsinkelse for begge kanaler

MOSFET og IGBT drivere, Infineon (International Rectifier)