SKM100GB125DN, IGBT-modul, N-Kanal, 100 A 1200 V, 7 ben, SEMITRANS2 Serie

RS-varenummer:: 468-2410
Producentens varenummer:: SKM100GB125DN
Brand:: Semikron

SKM100GB125DN, IGBT-modul, N-Kanal, 100 A 1200 V, 7 ben, SEMITRANS2 Serie

Varen er desværre i restordre, forventet afsendelsesdato 17-09-2024

Tilføjet

Pris pr. stk. (Leveres Pr. stk.)

Kr. 1.585,01

(ekskl. moms)

Kr. 1.981,26

(inkl. moms)

Enheder	Pr stk.
1 - 1	Kr. 1.585,01
2 - 4	Kr. 1.505,65
5 - 9	Kr. 1.431,30
10 - 19	Kr. 1.358,37
20 +	Kr. 1.290,23

RS-varenummer:: 468-2410
Producentens varenummer:: SKM100GB125DN
Brand:: Semikron

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Dobbelte IGBT-moduler

Et udvalg af SEMITOP® IGBT-moduler fra Semikron med to serietilsluttede (halv bro) IGBT-enheder. Modulerne findes i en lang række spændings- og strømværdier og er velegnede til en bred vifte af effektomkoblingsapplikationer, f.eks. ac-frekvensomformere og nødstrømsforsyninger.

Kompakt SEMITOP® hus
Velegnet til switching-frekvenser op til 12 kHz
Isoleret kobberbundplade, der anvender teknologi med direkte bundet kobber

IGBT moduler, Semikron

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Egenskaber

Attribute	Value
Kollektorstrøm kontinuerlig maks.	100 A
Kollektor emitter spænding maks.	1200 V
Gate emitter spænding maks.	±20V
Konfiguration	Dobbelt halv bro
Kapslingstype	SEMITRANS2
Monteringstype	Panelmontering
Kanaltype	N
Benantal	7
Transistorkonfiguration	Serie
Dimensioner	94.5 x 34.5 x 30.5mm
Driftstemperatur min.	-40 °C
Driftstemperatur maks.	+150 °C

RS-varenummer:: 468-2410
Producentens varenummer:: SKM100GB125DN
Brand:: Semikron