- RS-varenummer:
- 808-0281
- Producentens varenummer:
- IXYH50N120C3D1
- Brand:
- IXYS
Beklager, vi kan ikke opdatere vores lagerbeholdning lige nu. Prøv venligst at opdatere siden.
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres Pr. stk.)
Kr. 94,32
(ekskl. moms)
Kr. 117,90
(inkl. moms)
Enheder | Pr stk. |
1 - 5 | Kr. 94,32 |
6 - 14 | Kr. 86,69 |
15 + | Kr. 82,28 |
- RS-varenummer:
- 808-0281
- Producentens varenummer:
- IXYH50N120C3D1
- Brand:
- IXYS
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
IGBT diskrete halvledere, IXYS XPT serien
XPT™ serie af diskrete IGBT-halvledere fra IXYS har ekstrem gennemstanset tynd lysskiveteknologi, hvilket resulterer i nedsat termisk modstand og lavere energitab. Disse enheder giver hurtige omkoblingstider med lille efterstrøm, og findes i en række branchestandardpakker og private pakker.
Høj effekttæthed og lav VCE(sat)
Kvadratisk RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Area) op til beregnet overslagsspænding
Kortslutning til 10 usec
Positivt spændingstemperaturkoefficient når tændt
Valgfri Sonisk-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder i pakken
International standard- og egenudviklede højspændingspakker
Kvadratisk RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Area) op til beregnet overslagsspænding
Kortslutning til 10 usec
Positivt spændingstemperaturkoefficient når tændt
Valgfri Sonisk-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder i pakken
International standard- og egenudviklede højspændingspakker
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Egenskaber
Attribute | Value |
---|---|
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 90 A |
Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V |
Gate emitter spænding maks. | ±20V |
Effektafsættelse maks. | 625 W |
Kapslingstype | TO-247 |
Monteringstype | Hulmontering |
Kanaltype | N |
Benantal | 3 |
Switching-hastighed | 50kHz |
Transistorkonfiguration | Enkelt |
Dimensioner | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
Driftstemperatur min. | -55 °C |
Driftstemperatur maks. | +150 °C |