IXYS N-Kanal, MOSFET, 120 A 200 V, 3 ben, TO-247, HiperFET, Polar IXFH120N20P
- RS-varenummer:
- 193-458
- Producentens varenummer:
- IXFH120N20P
- Brand:
- IXYS
17 På lager til afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres Pr. stk.)
Kr. 100,68
(ekskl. moms)
Kr. 125,85
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 1 - 4 | Kr. 100,68 |
| 5 - 19 | Kr. 92,68 |
| 20 - 49 | Kr. 87,74 |
| 50 - 99 | Kr. 67,47 |
| 100 + | Kr. 64,55 |
- RS-varenummer:
- 193-458
- Producentens varenummer:
- IXFH120N20P
- Brand:
- IXYS
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ serien
N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™) fra IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 120 A |
| Drain source spænding maks. | 200 V |
| Kapslingstype | TO-247 |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 22 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 5V |
| Effektafsættelse maks. | 714000 mW |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
| Længde | 16.26mm |
| Transistormateriale | Si |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 152 nC ved 10 V |
| Bredde | 5.3mm |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |
| Serie | HiperFET, Polar |
| Højde | 21.46mm |
- RS-varenummer:
- 193-458
- Producentens varenummer:
- IXFH120N20P
- Brand:
- IXYS