Renesas Electronics P-Kanal, MOSFET, 15 A 60 V, 3 ben, TO-252 NP15P06SLG-E1-AY
- RS-varenummer:
- 121-6891
- Producentens varenummer:
- NP15P06SLG-E1-AY
- Brand:
- Renesas Electronics
På lager for afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 10)
Kr. 8,926
(ekskl. moms)
Kr. 11,158
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 10 - 40 | Kr. 8,926 | Kr. 89,26 |
| 50 - 90 | Kr. 7,653 | Kr. 76,53 |
| 100 - 490 | Kr. 6,692 | Kr. 66,92 |
| 500 - 990 | Kr. 5,356 | Kr. 53,56 |
| 1000 + | Kr. 4,458 | Kr. 44,58 |
- RS-varenummer:
- 121-6891
- Producentens varenummer:
- NP15P06SLG-E1-AY
- Brand:
- Renesas Electronics
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- MY
Generel produktinformation
P-kanal MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
MOSFET-transistorer, Renesas Electronics (NEC)
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | P |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 15 A |
| Drain source spænding maks. | 60 V |
| Kapslingstype | TO-252 |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 95 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 2.5V |
| Mindste tærskelspænding for port | 1V |
| Effektafsættelse maks. | 30 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 23 nC ved 10 V |
| Transistormateriale | Si |
| Længde | 6.5mm |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Bredde | 6.1mm |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.5V |
| Højde | 2.3mm |