Renesas Electronics N-Kanal, MOSFET, 3 A 900 V, 3 + Tab ben, TIL-3P 2SK1339-E
- RS-varenummer:
- 124-3649
- Producentens varenummer:
- 2SK1339-E
- Brand:
- Renesas Electronics
På lager for afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 2)
Kr. 25,895
(ekskl. moms)
Kr. 32,369
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 2 - 2 | Kr. 25,895 | Kr. 51,79 |
| 4 - 8 | Kr. 23,365 | Kr. 46,73 |
| 10 - 48 | Kr. 21,16 | Kr. 42,32 |
| 50 - 98 | Kr. 19,435 | Kr. 38,87 |
| 100 + | Kr. 17,985 | Kr. 35,97 |
- RS-varenummer:
- 124-3649
- Producentens varenummer:
- 2SK1339-E
- Brand:
- Renesas Electronics
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- JP
Generel produktinformation
N-kanal højspændings MOSFET'er 150 V og Derover Renesas Electronics
MOSFET-transistorer, Renesas Electronics (NEC)
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 3 A |
| Drain source spænding maks. | 900 V |
| Kapslingstype | TIL-3P |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 + Tab |
| Drain source modstand maks. | 7 Ω |
| Kanalform | Enhancement |
| Effektafsættelse maks. | 80 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Bredde | 4.8mm |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Transistormateriale | Si |
| Længde | 15.6mm |
| Gennemgangsspænding for diode | 0.9V |
| Højde | 19.9mm |
- RS-varenummer:
- 124-3649
- Producentens varenummer:
- 2SK1339-E
- Brand:
- Renesas Electronics