Toshiba N-Kanal, MOSFET, 43 A 60 V, 3 ben, TO-220, U-MOSVIII-H TK30E06N1,S1X(S

Dette produkt er udgået

Alternativ

Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.

Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 5)

Kr. 6,194

(ekskl. moms)

Kr. 7,742

(inkl. moms)

MOSFET-transistorer, Toshiba

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	43 A
Drain source spænding maks.	60 V
Kapslingstype	TO-220
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	15 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	53 W
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Længde	10.16mm
Transistormateriale	Si
Gate-ladning ved Vgs typisk	10 nC ved 10 V
Bredde	4.45mm
Antal elementer per chip	1
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Gennemgangsspænding for diode	1.2V
Højde	15.1mm
Serie	U-MOSVIII-H