MPN

Du er blevet omdirigeret til RS Danmark

Elfa-Distrelec er fusioneret med RS Group, så vi nu kan tilbyde et større udvalg af produkter, lokaliseret support og bedre service.

Du kan stadig se ordrehistorik, returnere produkter og administrere fakturaer via din Elfa-Distrelec konto

Microchip N-Kanal, MOSFET, 640 mA 30 V, 3 ben, TO-92, VN0300 VN0300L-G

RS-varenummer:: 177-9705
Producentens varenummer:: VN0300L-G
Brand:: Microchip

Microchip N-Kanal, MOSFET, 640 mA 30 V, 3 ben, TO-92, VN0300 VN0300L-G

Indhold (1 pose af 1000 enheder)*

Kr. 7.145,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.931,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 25. december 2025

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pose*
1000 +	Kr. 7,145	Kr. 7.145,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 177-9705
Producentens varenummer:: VN0300L-G
Brand:: Microchip

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Microchip
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks.	640 mA
	Drain source spænding maks.	30 V
	Serie	VN0300
	Kapslingstype	TO-92
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks.	3,3 Ω
	Kanalform	Enhancement
	Maks. tærskelspænding for port	2.5V
	Mindste tærskelspænding for port	0.8V
	Effektafsættelse maks.	1 W
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Gate source spænding maks.	30 V
	Længde	5.08mm
	Bredde	4.06mm
	Antal elementer per chip	1
	Driftstemperatur maks.	+150 °C
	Gennemgangsspænding for diode	0.9V
	Højde	5.33mm
	Driftstemperatur min.	-55 °C

	Vælg alle
	Brand Microchip
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. 640 mA
	Drain source spænding maks. 30 V
	Serie VN0300
	Kapslingstype TO-92
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. 3,3 Ω
	Kanalform Enhancement
	Maks. tærskelspænding for port 2.5V
	Mindste tærskelspænding for port 0.8V
	Effektafsættelse maks. 1 W
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Gate source spænding maks. 30 V
	Længde 5.08mm
	Bredde 4.06mm
	Antal elementer per chip 1
	Driftstemperatur maks. +150 °C
	Gennemgangsspænding for diode 0.9V
	Højde 5.33mm
	Driftstemperatur min. -55 °C

Datasheet

COO (Country of Origin):: TW

Microchip Technology MOSFET

Microchip Technology N-channel MOSFET til montering gennem hul er et nyt aldersprodukt med en kildespænding på 30 V og en maksimal gate-source-spænding på 30 V. Den har en modstand på 1,2 ohm ved en gate-source-spænding på 10 V. Den har konstant drænstrøm på 640 mA og maksimal effekttab på 1 W. Min. og maks. drivspænding for dette MOSFET er henholdsvis 5 V og 10 V. MOSFET er en forstærkningstilstand (normalt slukket) MOSFET, der anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne anordning er en vaesentlig egenskab ved alle MOS-konstruktioner og er fri for termisk start og termisk induceret sekundaer nedbrydning. Denne vertikale DMOS FET er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Sig af parallelkobling
• Fremragende termisk stabilitet
• Frie fra sekundær nedbrydning
• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
• Integreret kildedrændiode
• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder
• Krav til lavt effektdrev
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.

Anvendelsesområder

• Forstærkere
• Konvertere
• Drivere: Relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.
• Motorstyringer
• Strømforsyningskredsløb
• Switche

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC