STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 3 A 900 V, 3 ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH STP3NK90Z
- RS-varenummer:
- 485-7636
- Producentens varenummer:
- STP3NK90Z
- Brand:
- STMicroelectronics
45 På lager for afsendelse samme dag
20 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 5)
Kr. 13,972
(ekskl. moms)
Kr. 17,465
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 5 - 5 | Kr. 13,972 | Kr. 69,86 |
| 10 - 95 | Kr. 11,924 | Kr. 59,62 |
| 100 - 495 | Kr. 9,246 | Kr. 46,23 |
| 500 - 995 | Kr. 7,794 | Kr. 38,97 |
| 1000 + | Kr. 6,538 | Kr. 32,69 |
- RS-varenummer:
- 485-7636
- Producentens varenummer:
- STP3NK90Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 3 A |
| Drain source spænding maks. | 900 V |
| Serie | MDmesh, SuperMESH |
| Kapslingstype | TO-220 |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 4,8 Ω |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 4.5V |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V |
| Effektafsættelse maks. | 90 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 22,7 nC ved 10 V |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Længde | 10.4mm |
| Bredde | 4.6mm |
| Transistormateriale | Si |
| Højde | 9.15mm |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |