Toshiba N-Kanal, MOSFET, 263 A 60 V, 3 ben, TO-220SIS, TK TK100A06N1,S4X(S
- RS-varenummer:
- 891-2853
- Producentens varenummer:
- TK100A06N1,S4X(S
- Brand:
- Toshiba
På lager for afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 5)
Kr. 12,582
(ekskl. moms)
Kr. 15,728
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 5 - 20 | Kr. 12,582 | Kr. 62,91 |
| 25 - 95 | Kr. 11,07 | Kr. 55,35 |
| 100 - 245 | Kr. 9,694 | Kr. 48,47 |
| 250 - 495 | Kr. 9,20 | Kr. 46,00 |
| 500 + | Kr. 9,006 | Kr. 45,03 |
- RS-varenummer:
- 891-2853
- Producentens varenummer:
- TK100A06N1,S4X(S
- Brand:
- Toshiba
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- CN
Generel produktinformation
MOSFET-transistorer, Toshiba
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 263 A |
| Drain source spænding maks. | 60 V |
| Serie | TK |
| Kapslingstype | TO-220SIS |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 2,2 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V |
| Effektafsættelse maks. | 45 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Længde | 10mm |
| Transistormateriale | Si |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Bredde | 4.5mm |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 140 nC ved 10 V |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.2V |
| Højde | 15mm |
- RS-varenummer:
- 891-2853
- Producentens varenummer:
- TK100A06N1,S4X(S
- Brand:
- Toshiba