Toshiba N-Kanal, MOSFET-transistor, 207 A 100 V, 3 ben, TO-220SIS, TK TK100A10N1,S4X(S
- RS-varenummer:
- 891-2866
- Producentens varenummer:
- TK100A10N1,S4X(S
- Brand:
- Toshiba
6 På lager for afsendelse samme dag
enheder til afsendelse inden for 6 arbejdsdag(e) (UK lager)
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 2)
Kr. 20,345
(ekskl. moms)
Kr. 25,431
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 2 - 8 | Kr. 20,345 | Kr. 40,69 |
| 10 - 18 | Kr. 17,99 | Kr. 35,98 |
| 20 - 48 | Kr. 15,71 | Kr. 31,42 |
| 50 - 98 | Kr. 14,66 | Kr. 29,32 |
| 100 + | Kr. 13,84 | Kr. 27,68 |
- RS-varenummer:
- 891-2866
- Producentens varenummer:
- TK100A10N1,S4X(S
- Brand:
- Toshiba
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- CN
Generel produktinformation
MOSFET-transistorer, Toshiba
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 207 A |
| Drain source spænding maks. | 100 V |
| Kapslingstype | TO-220SIS |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 3,8 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V |
| Effektafsættelse maks. | 45 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 140 nC ved 10 V |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Længde | 10mm |
| Transistormateriale | Si |
| Bredde | 4.5mm |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.2V |
| Serie | TK |
| Højde | 15mm |
- RS-varenummer:
- 891-2866
- Producentens varenummer:
- TK100A10N1,S4X(S
- Brand:
- Toshiba