Infineon BGS12SN6E6327XTSA1 RF-omskifter, 6 ben TSNP

BGS12SN6 RF MOS-kontakten er specialdesignet til WLAN- og Bluetooth-anvendelser. En vilkårlig af de 2 porte kan bruges til terminering af diversitetsantennen og håndtere op til 30 dBm. Denne enkeltforsyningschip integrerer CMOS-logik på selve chippen drevet af et simpelt CMOS- eller TTL-kompatibelt indgangssignal til ét ben. Kompressionspunktet på 0,1 dB overstiger kontaktens maksimale indgangseffektniveau, hvilket resulterer i en lineær ydeevne ved alle signalniveauer. RF-kontakten har et meget lavt indskudstab på 0,25 dB i 1 GHz-intervallet og 0,29 dB i 2,5 GHz-intervallet. I modsætning til GaAs-teknologien er eksterne DC-spærrekondensatorer på RF-portene kun nødvendige, hvis DC-spændingen påføres eksternt.

Op til 6 GHz frekvensinterval
Meget lavt indskudstab <0,2 dB
Lille husstørrelse ned til 0,65 x 0,98 mm
Standard bulk-CMOS-teknologi i storvolumenfabrikker