RF SPDT Switch 6GHz 30dB ESD TSNP6

  • RS-varenummer 171-1926
  • Producentens varenummer BGS12SN6E6327XTSA1
  • Fabrikant Infineon
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
RoHS-Deklaration
Generel produktinformation

BGS12SN6 RF MOS-kontakten er specialdesignet til WLAN- og Bluetooth-anvendelser. En vilkårlig af de 2 porte kan bruges til terminering af diversitetsantennen og håndtere op til 30 dBm. Denne enkeltforsyningschip integrerer CMOS-logik på selve chippen drevet af et simpelt CMOS- eller TTL-kompatibelt indgangssignal til ét ben. Kompressionspunktet på 0,1 dB overstiger kontaktens maksimale indgangseffektniveau, hvilket resulterer i en lineær ydeevne ved alle signalniveauer. RF-kontakten har et meget lavt indskudstab på 0,25 dB i 1 GHz-intervallet og 0,29 dB i 2,5 GHz-intervallet. I modsætning til GaAs-teknologien er eksterne DC-spærrekondensatorer på RF-portene kun nødvendige, hvis DC-spændingen påføres eksternt.

Op til 6 GHz frekvensinterval
Meget lavt indskudstab <0,2 dB
Lille husstørrelse ned til 0,65 x 0,98 mm
Standard bulk-CMOS-teknologi i storvolumenfabrikker

200 På lager til levering inden for 1 arbejdsdag(e)
Pris (Leveres i pakke af 100)
kr 0,887
(ekskl. moms)
kr 1,109
(inkl. moms)
Enheder
Pr stk.
Pr pakke*
100 - 400
kr 0,887
kr 88,70
500 - 900
kr 0,765
kr 76,50
1000 - 2400
kr 0,722
kr 72,20
2500 +
kr 0,704
kr 70,40
Dag til dag levering ikke mulig
Forpakningsmuligheder