BFP640ESDH6327XTSA1, RF bipolar transistor, NPN 50 mA 4,1 V 45 GHz, 4 ben, SOT-343 Enkelt
- RS-varenummer:
- 827-5154
- Producentens varenummer:
- BFP640ESDH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
25 På lager til afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 25)
Kr. 3,863
(ekskl. moms)
Kr. 4,829
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 25 - 225 | Kr. 3,863 | Kr. 96,575 |
| 250 - 600 | Kr. 2,899 | Kr. 72,475 |
| 625 - 1225 | Kr. 2,705 | Kr. 67,625 |
| 1250 - 2475 | Kr. 2,51 | Kr. 62,75 |
| 2500 + | Kr. 2,319 | Kr. 57,975 |
- RS-varenummer:
- 827-5154
- Producentens varenummer:
- BFP640ESDH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
SiGe RF bipolære transistorer, Infineon
En række meget ultrastøjsvage bredbånds NPN bipolære RF-transistorer fra Infineon. Disse hetero-junction bipolære enheder benytter Infineons silicium-germanium-kulstof (SiGe:C) materialeteknologi og er især velegnet til brug i mobile anvendelser, hvor lavt strømforbrug er et afgørende krav. Med typiske overgangsfrekvenser på op til 65 GHz giver disse enheder en høj effektforstærkning ved frekvenser op til 10 GHz i forstærkeranvendelser. Transistorerne har interne kredsløb for ESD og stor beskyttelse mod RF inputeffekt.
Bipolære transistorer, Infineon
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Transistortype | NPN |
| Kollektorstrøm DC maks. | 50 mA |
| Kollektor emitter spænding maks. | 4,1 V |
| Kapslingstype | SOT-343 |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Effektafsættelse maks. | 200 mW |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Kollektor basis spænding maks. | 4,8 V |
| Emitter basis spænding maks. | 0,5 V |
| Driftsfrekvens maks. | 45 GHz |
| Benantal | 4 |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Dimensioner | 2 x 1.25 x 0.9mm |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
- RS-varenummer:
- 827-5154
- Producentens varenummer:
- BFP640ESDH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon