GT50J342,Q(O, IGBT, N-Kanal, 80 A 600 V 0.38μs, 3 ben, TIL-3P Enkelt
- RS-varenummer:
- 891-2740
- Producentens varenummer:
- GT50J342,Q(O
- Brand:
- Toshiba
På lager for afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres Pr. stk.)
Kr. 47,95
(ekskl. moms)
Kr. 59,94
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 1 - 4 | Kr. 47,95 |
| 5 - 24 | Kr. 35,90 |
| 25 - 49 | Kr. 33,01 |
| 50 - 99 | Kr. 31,72 |
| 100 + | Kr. 31,00 |
- RS-varenummer:
- 891-2740
- Producentens varenummer:
- GT50J342,Q(O
- Brand:
- Toshiba
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- JP
Generel produktinformation
IGBT diskrete, Toshiba
IGBT diskrete halvledere og moduler, Toshiba
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 80 A |
| Kollektor emitter spænding maks. | 600 V |
| Gate emitter spænding maks. | ±25V |
| Effektafsættelse maks. | 394 W |
| Kapslingstype | TIL-3P |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Kanaltype | N |
| Benantal | 3 |
| Switching-hastighed | 0.38µs |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Dimensioner | 15.5 x 4.5 x 20mm |
| Nominel energi | 1.7mJ |
| Portkapacitans | 4800pF |
| Driftstemperatur maks. | 175 °C |
- RS-varenummer:
- 891-2740
- Producentens varenummer:
- GT50J342,Q(O
- Brand:
- Toshiba