Toshiba N-Kanal, MOSFET, 31 A 30 V, 8 ben, TSON, U-MOSVIII-H TPN11003NL,LQ(S
- RS-varenummer:
- 133-2811
- Producentens varenummer:
- TPN11003NL,LQ(S
- Brand:
- Toshiba
På lager for afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 20)
Kr. 2,009
(ekskl. moms)
Kr. 2,511
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 20 - 80 | Kr. 2,009 | Kr. 40,18 |
| 100 - 180 | Kr. 1,706 | Kr. 34,12 |
| 200 - 980 | Kr. 1,575 | Kr. 31,50 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,522 | Kr. 30,44 |
| 2000 + | Kr. 1,474 | Kr. 29,48 |
- RS-varenummer:
- 133-2811
- Producentens varenummer:
- TPN11003NL,LQ(S
- Brand:
- Toshiba
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- JP
Generel produktinformation
MOSFET-transistorer, Toshiba
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 31 A |
| Drain source spænding maks. | 30 V |
| Kapslingstype | TSON |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Benantal | 8 |
| Drain source modstand maks. | 16 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 2.3V |
| Mindste tærskelspænding for port | 1.3V |
| Effektafsættelse maks. | 19 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Transistormateriale | Si |
| Bredde | 3.1mm |
| Længde | 3.1mm |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 7,5 nC ved 10 V |
| Højde | 0.85mm |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.2V |
- RS-varenummer:
- 133-2811
- Producentens varenummer:
- TPN11003NL,LQ(S
- Brand:
- Toshiba