ROHM N-Kanal, MOSFET, 4 A 1700 V, 2 + Tab ben, TO-268 SCT2H12NYTB

  • RS-varenummer 148-6940
  • Producentens varenummer SCT2H12NYTB
  • Fabrikant ROHM
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
RoHS-Deklaration
Generel produktinformation

Lav modstand ved tændt
Hurtig koblingshastighed
Lang krybeafstand uden midterledning
Enkle at drive
Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS

Egenskaber
Attribute Value
Kanaltype N
Drain-strøm kontinuerlig maks. 4 A
Drain source spænding maks. 1700 V
Kapslingstype TO-268
Monteringstype Overflademontering
Benantal 2 + Tab
Drain source modstand maks. 1,71 Ω
Kanalform Enhancement
Maks. tærskelspænding for port 4V
Mindste tærskelspænding for port 1.6V
Effektafsættelse maks. 44 W
Transistorkonfiguration Enkelt
Gate source spænding maks. 22 V
Antal elementer per chip 1
Gate-ladning ved Vgs typisk 14 nC ved 18 V
Længde 15.95mm
Driftstemperatur maks. +175 °C
Højde 5mm
Transistormateriale SiC
Bredde 13.9mm
Gennemgangsspænding for diode 4.3V
På lager til levering inden for 3 arbejdsdag(e)
Pris Pr. stk. (på Rulle á 800)
kr 26,348
(ekskl. moms)
kr 32,935
(inkl. moms)
Enheder
Pr stk.
Per Reel*
800 +
kr 26,348
kr 21.078,40
Dag til dag levering ikke mulig