Taiwan Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 7 A 900 V, 3 ben, ITO-220 TSM7N90CI C0G

RS-varenummer:: 171-3667
Producentens varenummer:: TSM7N90CI C0G
Brand:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 7 A 900 V, 3 ben, ITO-220 TSM7N90CI C0G

Se alle MOSFET

Dette produkt er udgået

RS-varenummer:: 171-3667
Producentens varenummer:: TSM7N90CI C0G
Brand:: Taiwan Semiconductor

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Taiwan Semiconductor 900 V, 7 A, 1. 9Ω, 3-benet N-kanal Power MOSFET har 1-transistor konfiguration og kanalfunktion til forbedring. Den bruges generelt i forbindelse med strømforsyning og belysning.

Lav RDS (til) 1.9Ω (maks.)
Lav gate-opladning typisk ved 49 nC (typ.)
Forbedrer DV/dt-funktionen
Blyfri belægning
I overensstemmelse med RoHS-direktivet 2011/65/EU og i overensstemmelse MED WEE 2002/96/EC
Halogenfri i henhold til IEC 61249-2-21-definition
Driftstemperaturområde mellem -55 til +150 oC
40,3 W maks. effekttab
Gate-tærskelspændingsområder mellem 2V-4V

Egenskaber

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	7 A
Drain source spænding maks.	900 V
Kapslingstype	ITO-220
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	1,9 Ω
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	40,3 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	±30 V
Gate-ladning ved Vgs typisk	49 nC ved 10 V
Bredde	4.6mm
Antal elementer per chip	1
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Længde	10mm
Gennemgangsspænding for diode	1.4V
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	15mm

RS-varenummer:: 171-3667
Producentens varenummer:: TSM7N90CI C0G
Brand:: Taiwan Semiconductor