Taiwan Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V, 3 ben, ITO-220S TSM60NB260CI C0G

RS-varenummer:: 171-3681
Producentens varenummer:: TSM60NB260CI C0G
Brand:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V, 3 ben, ITO-220S TSM60NB260CI C0G

Se alle MOSFET

Dette produkt er udgået

RS-varenummer:: 171-3681
Producentens varenummer:: TSM60NB260CI C0G
Brand:: Taiwan Semiconductor

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Taiwan Semiconductor 600 V, 13 A, 0. 26Ω, 3-benet N-kanal Power MOSFET har 1-transistor konfiguration og kanalfunktion til forbedring. Den bruges generelt i strømforsyninger og AC/DC LED-belysning.

Super-Junction-teknologi
Høj ydeevne på grund af lille Figure of Merit
Ydeevne med høj robusthed
Ydeevne med høj kommutering
100 % UIL-testet
Blyfri belægning
I overensstemmelse med RoHS-direktiv 2011/65/EU og in
I overensstemmelse med WEEE 2002/96/EC
Halogenfri i henhold til IEC 61249-2-21
Driftstemperaturområde mellem -55 til +150 oC
32,1 W maks. effekttab
Gate-tærskelspændingsområder mellem 2V-4V

Egenskaber

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	13 A
Drain source spænding maks.	600 V
Kapslingstype	ITO-220S
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	260 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	32,1 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	±30 V
Gate-ladning ved Vgs typisk	30 nC ved 10 V
Længde	10mm
Bredde	4.6mm
Antal elementer per chip	1
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Gennemgangsspænding for diode	1.4V
Højde	15mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

RS-varenummer:: 171-3681
Producentens varenummer:: TSM60NB260CI C0G
Brand:: Taiwan Semiconductor