Taiwan Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 3 A 60 V, 3 ben, SOT-23 TSM2308CX RFG

RS-varenummer:: 171-3697
Producentens varenummer:: TSM2308CX RFG
Brand:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor N-Kanal, MOSFET, 3 A 60 V, 3 ben, SOT-23 TSM2308CX RFG

Desværre har vi ikke dette produkt på lager.

Restordre ikke mulig på grund af manglende allokering. Den evt. angivne systemtekniske leveringstid er ikke gyldig.

Tilføjet

Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 50)

Kr. 2,09

(ekskl. moms)

Kr. 2,61

(inkl. moms)

Enheder	Pr stk.	Pr pakke*
50 - 200	Kr. 2,09	Kr. 104,50
250 - 450	Kr. 2,032	Kr. 101,60
500 - 950	Kr. 1,982	Kr. 99,10
1000 +	Kr. 1,933	Kr. 96,65

RS-varenummer:: 171-3697
Producentens varenummer:: TSM2308CX RFG
Brand:: Taiwan Semiconductor

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Taiwan Semiconductor 60V, 3A, 3-benet N-kanal MOSFET har 1-transistor konfiguration og kanalfunktion til forbedring. Det bruges generelt til DC-DC-strømsystem
og belastningsskift.

Avanceret rench-procesteknologi
Celledesign med høj tæthed giver meget lav modstand
Driftstemperaturområde mellem -55 til +150 oC
1,25 W maks. effekttab
Gate-tærskelspændingsområder mellem 1,2 V - 2,5 V.

Egenskaber

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	3 A
Drain source spænding maks.	60 V
Kapslingstype	SOT-23
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	192 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	2.5V
Mindste tærskelspænding for port	1.2V
Effektafsættelse maks.	1,25 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	±20 V
Antal elementer per chip	1
Gate-ladning ved Vgs typisk	3,99 nC ved 4,5 V
Længde	3mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Bredde	1.4mm
Gennemgangsspænding for diode	1.2V
Højde	1.05mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

RS-varenummer:: 171-3697
Producentens varenummer:: TSM2308CX RFG
Brand:: Taiwan Semiconductor