Infineon N-Kanal, MOSFET, 88 A 200 V, 3 ben, TO-220, OptiMOS 3 IPP110N20N3GXKSA1
- RS-varenummer:
- 752-8381
- Producentens varenummer:
- IPP110N20N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
16 På lager for afsendelse samme dag
142 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres Pr. stk.)
Kr. 54,68
(ekskl. moms)
Kr. 68,35
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 1 - 4 | Kr. 54,68 |
| 5 - 9 | Kr. 53,03 |
| 10 - 14 | Kr. 52,06 |
| 15 - 24 | Kr. 50,42 |
| 25 + | Kr. 49,14 |
- RS-varenummer:
- 752-8381
- Producentens varenummer:
- IPP110N20N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 88 A |
| Drain source spænding maks. | 200 V |
| Kapslingstype | TO-220 |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 11 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V |
| Effektafsættelse maks. | 300 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
| Længde | 10.36mm |
| Bredde | 4.57mm |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 65 nC ved 10 V |
| Transistormateriale | Si |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C |
| Højde | 9.45mm |
| Serie | OptiMOS 3 |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |