- RS-varenummer:
- 752-8381P
- Producentens varenummer:
- IPP110N20N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
217 På lager til afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. Pr. stk. (Leveres i Rør)
Kr. 53,03
(ekskl. moms)
Kr. 66,29
(inkl. moms)
Enheder | Pr stk. |
5 - 9 | Kr. 53,03 |
10 - 14 | Kr. 52,06 |
15 - 24 | Kr. 50,42 |
25 + | Kr. 49,14 |
- RS-varenummer:
- 752-8381P
- Producentens varenummer:
- IPP110N20N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Egenskaber
Attribute | Value |
---|---|
Kanaltype | N |
Drain-strøm kontinuerlig maks. | 88 A |
Drain source spænding maks. | 200 V |
Kapslingstype | TO-220 |
Monteringstype | Hulmontering |
Benantal | 3 |
Drain source modstand maks. | 11 mΩ |
Kanalform | Enhancement |
Maks. tærskelspænding for port | 4V |
Mindste tærskelspænding for port | 2V |
Effektafsættelse maks. | 300 W |
Transistorkonfiguration | Enkelt |
Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
Antal elementer per chip | 1 |
Gate-ladning ved Vgs typisk | 65 nC ved 10 V |
Bredde | 4.57mm |
Driftstemperatur maks. | +175 °C |
Transistormateriale | Si |
Længde | 10.36mm |
Højde | 9.45mm |
Driftstemperatur min. | -55 °C |
Serie | OptiMOS 3 |