onsemi, Transistor 600 mA NPN 160 V, 3 Ben, TO-92 Enkelt
- RS-varenummer:
- 166-3209
- Producentens varenummer:
- 2N5551TF
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2000 enheder, på en rulle med 2000)*
Kr. 770,00
(ekskl. moms)
Kr. 962,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | Kr. 0,385 | Kr. 770,00 |
| 4000 - 8000 | Kr. 0,366 | Kr. 732,00 |
| 10000 - 18000 | Kr. 0,347 | Kr. 694,00 |
| 20000 + | Kr. 0,327 | Kr. 654,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 166-3209
- Producentens varenummer:
- 2N5551TF
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Transistor | |
| Kollektorstrøm DC maks. Idc | 600mA | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 160V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Kollektor basis spænding maks. VCBO | 180V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 625mW | |
| Maksimal overgangsfrekvens ft | 100MHz | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Emitter basis spænding maks. VEBO | 6V | |
| Transistorpolaritet | NPN | |
| DC strømforstærkning min. hFE | 80 | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Benantal | 3 | |
| Bredde | 4.19mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 18.33mm | |
| Længde | 5.2mm | |
| Serie | 2N5551 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Transistor | ||
Kollektorstrøm DC maks. Idc 600mA | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 160V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Kollektor basis spænding maks. VCBO 180V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 625mW | ||
Maksimal overgangsfrekvens ft 100MHz | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Emitter basis spænding maks. VEBO 6V | ||
Transistorpolaritet NPN | ||
DC strømforstærkning min. hFE 80 | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Benantal 3 | ||
Bredde 4.19mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 18.33mm | ||
Længde 5.2mm | ||
Serie 2N5551 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
NPN-transistorer med lille signal, over 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolære transistorer, Fairchild Semiconductor
Bipolære sammenkoblingstransistorer (BJT) i et bredt udvalg giver komplette løsninger til forskellige behov for kredsløbsanvendelser. Innovative huse er designet til minimal størrelse, højeste pålidelighed og maksimal termisk ydeevne.