Hamamatsu Photonics, Fotodiode, Overflademontering, Glasepoxy Kapsling, 270 til 900 nm
- RS-varenummer:
- 893-867
- Producentens varenummer:
- S14160-3050HS
- Brand:
- Hamamatsu Photonics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 527,77
(ekskl. moms)
Kr. 659,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 527,77 |
| 5 + | Kr. 511,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 893-867
- Producentens varenummer:
- S14160-3050HS
- Brand:
- Hamamatsu Photonics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Hamamatsu Photonics | |
| Detekterbare spektre | 270 til 900 nm | |
| Produkttype | Fotodiode | |
| Bølgelængde for maks. følsomhed | 450nm | |
| Emballagetype | Glasepoxy | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Antal ben | 2 | |
| Bølgelængde min. | 270nm | |
| Bølgelængde maks. | 900nm | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Mørkestrøm | 0.6μA | |
| Serie | S14160 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Hamamatsu Photonics | ||
Detekterbare spektre 270 til 900 nm | ||
Produkttype Fotodiode | ||
Bølgelængde for maks. følsomhed 450nm | ||
Emballagetype Glasepoxy | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Antal ben 2 | ||
Bølgelængde min. 270nm | ||
Bølgelængde maks. 900nm | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Bredde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Mørkestrøm 0.6μA | ||
Serie S14160 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
Hamamatsu Photonics højtydende multi-pixel-fotontæller er designet til anvendelser med scintillationsdetektering og har en lav brudspænding for øget effektivitet og driftssikkerhed.
Opnår højere fotondetektionseffektivitet på 50 %
Fungerer ved en typisk gennemgangsspænding på 38 V
Demonstrerer minimal dødplads i det lysfølsomme område
Giver fremragende tidsopløsning sammen med høj forstærkning
Sikrer immunitet over for magnetisk feltinterferens