OSI Optoelectronics, Fotodiode, Hulmontering, TO-8 Kapsling, 65 °, Synligt lys

Disse højhastighedsdetektorer med et stort aktivt område kan aflades helt for at opnå den lavest mulige krydskapacitans for hurtige reaktionstider. De kan anvendes ved en højere spærrespænding, op til den maksimalt tilladte værdi, for at opnå endnu hurtigere reaktionstider på nanosekunder. Den høje omvendte forspænding på dette tidspunkt øger det effektive elektriske felt hen over krydsfeltet, og øger således opladningstiden i det afladede område. Bemærk, at dette opnås uden at gå på kompromis med den høje reaktionsevne såvel som det aktive område. Disse strålingsdetektorer med stort aktivt område kan også aflades helt i forbindelse med måling af høj energirøntgen, røntgenstråler samt høje energipartikler, som f.eks. elektroner, alfastråler og tunge ioner.

Produktanvendelse