OSI Optoelectronics, Fotodiode, Hulmontering, TO-8 Kapsling, 65 °, Infrarød

Den fotoledende detektorserie er velegnet til opgaver, der kræver høj hastighed og høj følsomhed. Spektral området strækker sig fra 350 til 1100 nm, hvilket gør disse fotodioder ideelle til synlige og nære IR anvendelser, herunder AC anvendelser såsom detektering af pulserende LASERKILDER, LED'er eller hakket lys. For at opnå høje hastigheder skal disse detektorer være omvendt bias. Typiske reaktionstider fra 10 ns til 250 ns kan opnås med f.eks. en 10 V omvendt forspænding. Når en omvendt forspænding påføres, falder kapacitansen (som vist på figuren nedenfor) svarende direkte til en forøgelse af hastigheden. Som angivet i specifikationstabellen, må den omvendte forspænding ikke overstige 30 volt. Højere bias-spændinger vil resultere i permanent skade på detektoren. Da en omvendt bias genererer yderligere mørk strøm, vil støjen i enheden også øges med anvendt bias. For mindre støjdetektorer bør der tages hensyn til fotovoltaiske serier.

Højhastighedsrespons