OSI Optoelectronics, Fotodiode, Overflade, 65 °, Infrarød
- RS-varenummer:
- 848-6288
- Producentens varenummer:
- PIN-10D
- Brand:
- OSI Optoelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 1.177,05
(ekskl. moms)
Kr. 1.471,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
- Plus 3 enhed(er) afsendes fra 30. oktober 2026
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 06. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 1.177,05 |
| 5 - 9 | Kr. 1.128,73 |
| 10 + | Kr. 1.112,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 848-6288
- Producentens varenummer:
- PIN-10D
- Brand:
- OSI Optoelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | OSI Optoelectronics | |
| Detekterbare spektre | Infrarød | |
| Produkttype | Fotodiode | |
| Bølgelængde for maks. følsomhed | 970nm | |
| Indpakning | Tape og rulle | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Antal ben | 1 | |
| Bølgelængde min. | 350nm | |
| Bølgelængde maks. | 1100nm | |
| Faldetid typisk | 0.6ns | |
| Forstærket | Nej | |
| Min. driftstemperatur | -25°C | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Længde | 24.77mm | |
| Højde | 26.16mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 5mm | |
| Halv følsomheds-vinkel | 65 ° | |
| Mørkestrøm | 200pA | |
| Overslagsspænding | 30V | |
| Stigetid typisk | 0.6ns | |
| Polaritet | Omvendt | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Serie | Photoconductive | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand OSI Optoelectronics | ||
Detekterbare spektre Infrarød | ||
Produkttype Fotodiode | ||
Bølgelængde for maks. følsomhed 970nm | ||
Indpakning Tape og rulle | ||
Monteringstype Overflade | ||
Antal ben 1 | ||
Bølgelængde min. 350nm | ||
Bølgelængde maks. 1100nm | ||
Faldetid typisk 0.6ns | ||
Forstærket Nej | ||
Min. driftstemperatur -25°C | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Længde 24.77mm | ||
Højde 26.16mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 5mm | ||
Halv følsomheds-vinkel 65 ° | ||
Mørkestrøm 200pA | ||
Overslagsspænding 30V | ||
Stigetid typisk 0.6ns | ||
Polaritet Omvendt | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Serie Photoconductive | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
OSI fotoledende serie af fotodioder
Den fotoledende serie fra OSI Optoelectronics er plandiffuserede siliciumfotodioder designet til høj hastighed og høj følsomhed. Spektralområdet (350-1100 nm) gør den fotoledende serie velegnet til anvendelser inden for synligt og nærinfrarødt lys. Disse allround fotodioder er velegnede til anvendelser, der omfatter impulsdetektorer, stregkodelæsere, optisk fjernbetjening, optisk kommunikation, medicinsk udstyr og højhastigheds fotometri.
Egenskaber for den fotoledende serie:
Hurtigreagerende
Lav kapacitet
Lille mørkestrøm
Bredt dynamisk område