AEC-Q100 FM25L16B-GTR, SPI FRAM-hukommelse 16kbit, 2 K x 8 bit, 20ns, 2,7 V til 3,6 V, -40 °C til +85 °C, 8 ben, SOIC

Se alle FRAM
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 50,39

(ekskl. moms)

Kr. 62,99

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 110 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 30. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 10,078Kr. 50,39
50 - 120Kr. 8,408Kr. 42,04
125 - 245Kr. 7,554Kr. 37,77
250 - 495Kr. 7,15Kr. 35,75
500 +Kr. 6,792Kr. 33,96

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
184-0068
Producentens varenummer:
FM25L16B-GTR
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Memory-størrelse

16kbit

Organisation

2 K x 8 bit

Interface-type

SPI

Databusbredde

8bit

Random access-tid maks.

20ns

Monteringstype

Overflademontering

Kapslingstype

SOIC

Benantal

8

Dimensioner

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Længde

4.97mm

Driftsforsyningsspænding maks.

3,6 V

Bredde

3.98mm

Højde

1.48mm

Driftstemperatur maks.

+85 °C

Antal Bits per ord

8bit

Bilindustristandarder

AEC-Q100

Antal ord

2K

Driftstemperatur min.

-40 °C

Driftsforsyningsspænding min.

2,7 V

16-Kbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk organiseret som 2K x 8
Høj holdbarhed 100 billioner (1014) læse/skrive
151 års dataopbevaring (Se Opbevaring af data og holdbarhed på side 12)
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelektrisk proces med høj pålidelighed
Meget hurtigt serielt periferisk interface (SPI)
Op til 20 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel flash og EEPROM
Understøtter SPI-tilstand 0 (0, 0) og tilstand 3 (1, 1)
Avanceret skrivebeskyttelse
Hardwarebeskyttelse ved hjælp af WP-stiften (Write Protect)
Softwarebeskyttelse ved hjælp af instruktion til deaktivering af skrivning
Beskyttelse af softwareblokke til 1/4, 1/2 eller hele systemet
Lavt effektforbrug
200 μA aktiv strøm ved 1 MHz
3 μA (typ.) standbystrøm
Lavspændingsdrift: VDD = 2,7 V til 3,6 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
Pakker
8-benet SOIC-hus (Small Outline Integrated Circuit)
8-benet tyndt dobbelt fladt NO-ledninger (DFN) hus

Relaterede links