Infineon AEC-Q100 FRAM 1 MB, 125 °C, 80 °C, 32 Ben, TSOP
- RS-varenummer:
- 273-5335
- Producentens varenummer:
- FM28V100-TGTR
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 174,28
(ekskl. moms)
Kr. 217,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 14 enhed(er) afsendes fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 174,28 |
| 50 + | Kr. 156,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5335
- Producentens varenummer:
- FM28V100-TGTR
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | FRAM | |
| Hukommelsesstørrelse | 1MB | |
| Databusbredde | 8bit | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Benantal | 32 | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Min. driftstemperatur | 80°C | |
| Forsyningsspænding min. | 3V | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype FRAM | ||
Hukommelsesstørrelse 1MB | ||
Databusbredde 8bit | ||
Emballagetype TSOP | ||
Benantal 32 | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Min. driftstemperatur 80°C | ||
Forsyningsspænding min. 3V | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
Infineon FRAM-hukommelse er en 128K x 8 ikke-flygtig hukommelse, der læser og skriver på samme måde som en standard SRAM. En ferroelektrisk hukommelse med tilfældig adgang eller FRAM er ikke-flygtig, hvilket betyder, at detaljer bevares, efter at strømmen er fjernet. Den giver dataopbevaring i over 151 år, samtidig med at den eliminerer pålidelighedsproblemer, funktionelle ulemper og systemdesignkompleksiteter for batteribaseret SRAM. Hurtig skrivetiming og høj skriveudholdenhed gør FRAM bedre end andre typer hukommelse.
I overensstemmelse med RoHS
Lavspændingsdrift
Lavt strømforbrug
Bedre end batteribaserede SRAM-moduler
Fremragende mod fugt og stød med vibrationer
Relaterede links
- Infineon AEC-Q100 FRAM 1 MB 125 °C 32 Ben, TSOP
- Infineon AEC-Q100 128K x 8 bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 128K x 8 bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon 128k x 8 bit -40 °C DSO
- Infineon 128k x 8 bit 40 °C SOIC
- Infineon 128k x 8 bit 40 °C SOIC-8
- Infineon AEC-Q100 256k x 8 Bit 125 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 Klasse 1 256K x 8 bit -40 °C SOIC-8