FM24VN10-G, Seriel - I2C FRAM-hukommelse 1Mbit, 128K x 8, 8 ben, SOIC

Infineon FRAM er en 1 Mbit ikke-flygtig hukommelse, der anvender en avanceret ferroelektrisk proces. En ferroelektrisk hukommelse med tilfældig adgang eller FRAM er ikke-flygtig og udfører læsning og skrivning svarende til en RAM. Den giver pålidelig dataopbevaring i 151 år, samtidig med at den eliminerer kompleksiteten, overhovedet og pålidelighedsproblemer på systemniveau forårsaget af EEPROM og andre ikke-flygtige hukommelser. I modsætning til EEPROM udfører den skriveoperationer ved bushastighed. Der opstår ingen skriveforsinkelser. Data skrives til hukommelsesarray umiddelbart efter, at hver byte er overført til enheden. Den næste buscyklus kan starte uden behov for dataafstemning. Desuden giver produktet betydelig skriveholdbarhed sammenlignet med andre ikke-flygtige hukommelser.

I overensstemmelse med RoHS
Lavt strømforbrug
Hurtigt 2-leder serielt interface
Høj holdbarhed 100 billioner læsning og skrivning
Avanceret ferroelektrisk proces med høj pålidelighed