onsemi MOSFET, MOSFET 2, 1.5 A, 8 Ben 18V, SOIC
- RS-varenummer:
- 221-440
- Producentens varenummer:
- MC33151DG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 15,86
(ekskl. moms)
Kr. 19,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 111 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 21 enhed(er) afsendes fra 11. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 15,86 |
| 10 + | Kr. 13,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-440
- Producentens varenummer:
- MC33151DG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 1.5A | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 16ns | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Antal udgange | 2 | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 14ns | |
| Forsyningsspænding min. | 18V | |
| Forsyningsspænding maks. | 18V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Serie | MC33151 | |
| Bredde | 4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 5mm | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 1.5A | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 16ns | ||
Emballagetype SOIC | ||
Antal udgange 2 | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 14ns | ||
Forsyningsspænding min. 18V | ||
Forsyningsspænding maks. 18V | ||
Antal drivere 2 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Serie MC33151 | ||
Bredde 4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 5mm | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
MOSFET og IGBT drivere, ON Semiconductor
Strømdrivere til MOSFET og IGBT i lav side, høj side, og half-bridge-kredsløb.