onsemi MOSFET, MOSFET 1, 6 A, 24 Ben 22V, QFN
- RS-varenummer:
- 178-4643P
- Producentens varenummer:
- NCP51705MNTXG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 2.000,90
(ekskl. moms)
Kr. 2.501,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 7.690 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 20,009 |
| 250 + | Kr. 17,339 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-4643P
- Producentens varenummer:
- NCP51705MNTXG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 6A | |
| Benantal | 24 | |
| Faldtid | 15ns | |
| Emballagetype | QFN | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Antal udgange | 5 | |
| Stigetid | 15ns | |
| Forsyningsspænding min. | 22V | |
| Antal drivere | 1 | |
| Forsyningsspænding maks. | 22V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Bredde | 4mm | |
| Serie | NCP51705 | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 4mm | |
| Højde | 950μm | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 6A | ||
Benantal 24 | ||
Faldtid 15ns | ||
Emballagetype QFN | ||
Driver-type MOSFET | ||
Antal udgange 5 | ||
Stigetid 15ns | ||
Forsyningsspænding min. 22V | ||
Antal drivere 1 | ||
Forsyningsspænding maks. 22V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Bredde 4mm | ||
Serie NCP51705 | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 4mm | ||
Højde 950μm | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The NCP51705 driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. To achieve the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum allowable gate voltage to the SiC MOSFET device. By providing high peak current during turn−on and turn−off, switching losses are also minimized. For improved reliability, dV/dt immunity and even faster turn−off, the NCP51705 can utilize its on−board charge pump to generate a user selectable negative voltage rail.
Allow independent Turn-ON/Turn-OFF Adjustment
Efficient SiC MOSFET Operation during the Conduction Period
Fast Turn-off and Robust dV/dt Immunity
Minimize complexity of bias supply in isolated gate drive applications
Sufficient VGS amplitude to match SiC best performance
Self protection of the design