STMicroelectronics MOSFET, MOSFET, 18.5 A, 3 Ben 30V, TO-220
- RS-varenummer:
- 193-5399P
- Producentens varenummer:
- STP21N90K5
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 16%
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 968,70
(ekskl. moms)
Kr. 1.210,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 886 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 48,435 | - |
| 50 + | Kr. 40,355 | 16% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 193-5399P
- Producentens varenummer:
- STP21N90K5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 18.5A | |
| Benantal | 3 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Faldtid | 40ns | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 27ns | |
| Forsyningsspænding min. | 3V | |
| Forsyningsspænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 34.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 18.5A | ||
Benantal 3 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Faldtid 40ns | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 27ns | ||
Forsyningsspænding min. 3V | ||
Forsyningsspænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 34.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.15mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Disse enheder er N-kanal Power MOSFET'er, der er udviklet vha. MDmesh™ M2-teknologi. Denne revolutionerende, lavine-robuste, højspændings Power MOSFET-teknologi er baseret på en innovativ egenudviklet lodret struktur. Resultatet er en drastisk reduktion i modstand og ultralav gate-opladning til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.
TO-220 RDS (til)
Meget lav portopladning (Qg)
Zener-beskyttet