AEC-Q100 onsemi Allround, Allround driver 2, 1.9 A, 8 Ben 20V, SOIC
- RS-varenummer:
- 205-2420
- Producentens varenummer:
- NCV57200DR2G
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 205-2420
- Producentens varenummer:
- NCV57200DR2G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Allround driver | |
| Udgangsstrøm | 1.9A | |
| Benantal | 8 | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Faldtid | 8ns | |
| Antal udgange | 2 | |
| Driver-type | Allround | |
| Stigetid | 13ns | |
| Forsyningsspænding min. | 20V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4mm | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Allround driver | ||
Udgangsstrøm 1.9A | ||
Benantal 8 | ||
Emballagetype SOIC | ||
Faldtid 8ns | ||
Antal udgange 2 | ||
Driver-type Allround | ||
Stigetid 13ns | ||
Forsyningsspænding min. 20V | ||
Antal drivere 2 | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4mm | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
ON Semiconductor højspændings gate-driver med en ikke-isoleret lav side gate-driver og en galvanisk isoleret høj- eller lav side gate-driver. Den kan køre to IGBT'er direkte i en konfiguration med en halv bro. En isoleret driver i den høje side kan strømforsynes med en isoleret strømforsyning eller med bootstrap-teknik fra strømforsyningen i den lave side. Denne galvaniske isolation til gate-driveren i den høje side garanterer pålidelig omskiftning i anvendelser med høj effekt til IGBT'er, der fungerer op til 800 V ved høj dv/dt.
Pakken er SOIC-8 (Pb-Free)
Høj peak-strømudgang (+ 1,9A/- 2,3A)
Lavt spændingsfald for forbedret IGBT-ledning
Sikret udgang i lav tilstand uden VDD/VB
Flydende kanal til bootstrap-drift op til + 800 V.
CMTI op til 50 kV/s.
Pålidelig drift for VS negativt udsving ned til -800V
VDD- og VBS-forsyningsområde op til 20 V.