Infineon MOSFET, Halvbro IPM 1, 30 A, 27 Ben 20V, PQFN
- RS-varenummer:
- 217-7199P
- Producentens varenummer:
- IRSM005-301MH
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
- RS-varenummer:
- 217-7199P
- Producentens varenummer:
- IRSM005-301MH
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Halvbro IPM | |
| Udgangsstrøm | 30A | |
| Benantal | 27 | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Faldtid | 35ns | |
| Antal udgange | 2 | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 70ns | |
| Forsyningsspænding min. | 10V | |
| Antal drivere | 1 | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | IRSM005-301MH | |
| Længde | 8.1mm | |
| Bredde | 7.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1mm | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Halvbro IPM | ||
Udgangsstrøm 30A | ||
Benantal 27 | ||
Emballagetype PQFN | ||
Faldtid 35ns | ||
Antal udgange 2 | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 70ns | ||
Forsyningsspænding min. 10V | ||
Antal drivere 1 | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie IRSM005-301MH | ||
Længde 8.1mm | ||
Bredde 7.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1mm | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRSM005-301MH er en allround half-bridge med integreret gate-driver i et attraktivt 7x8 mm PQFN-hus. Det er en allround byggeblok, der er velegnet til en lang række anvendelser med lav spænding, hvor effekttæthed er af afgørende betydning. Typiske eksempler kunne være Advanced motordrev, dc-til-ac og dcto-dc konvertere.
Hus med lav termisk modstand og minimal parasitisk
Lav modstand på HEXFET'er: 16 mΩ typ.
Underspændingsspærring på VCC og VBS
Uafhængigt gate-drev i fase med logisk indgang
Gate-drevets forsyningsområde fra 10 V til 20 V.
Transmissionsforsinkelse matchet til defineret spec