AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul 1, 6.5 A, 8 Ben 22V, SOIC
- RS-varenummer:
- 221-6664P
- Producentens varenummer:
- NCV57090BDWR2G
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 221-6664P
- Producentens varenummer:
- NCV57090BDWR2G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Udgangsstrøm | 6.5A | |
| Benantal | 8 | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Faldtid | 13ns | |
| Driver-type | IGBT | |
| Antal udgange | 5 | |
| Stigetid | 13ns | |
| Forsyningsspænding min. | 22V | |
| Antal drivere | 1 | |
| Forsyningsspænding maks. | 22V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Længde | 7.6mm | |
| Højde | 2.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.05mm | |
| Serie | NCx57090y | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Udgangsstrøm 6.5A | ||
Benantal 8 | ||
Emballagetype SOIC | ||
Faldtid 13ns | ||
Driver-type IGBT | ||
Antal udgange 5 | ||
Stigetid 13ns | ||
Forsyningsspænding min. 22V | ||
Antal drivere 1 | ||
Forsyningsspænding maks. 22V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Længde 7.6mm | ||
Højde 2.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.05mm | ||
Serie NCx57090y | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
on Semiconductor NCD57090 er højstrøms 1-kanals IGBT/MOSFET gate-driver med 5 kVrms intern galvanisk isolation, designet til høj systemeffektivitet og pålidelighed i anvendelser med høj effekt. Enheden accepterer supplerende indgang og tilbyder alt efter benkonfigurationen muligheder som f.eks. aktiv Miller-klemme, negativ strømforsyning og separat høj og lav driverudgang for at gøre det nemt at designe systemet.
Høj transientimmunitet
Høj elektromagnetisk immunitet
Korte transmissionsforsinkelser med nøjagtig matchning