Infineon MOSFET, MOSFET 2, 6 A, 8 Ben 17V, DSO

Få rabat ved storkøb

Tilføj 125 flere for at gemme 6%

Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 1.045,70

(ekskl. moms)

Kr. 1.307,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 980 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Besparelse
50 - 120Kr. 20,914-
125 - 245Kr. 19,5386%
250 - 495Kr. 18,11613%
500 +Kr. 16,93419%

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
226-6018P
Producentens varenummer:
1EDC60I12AHXUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Udgangsstrøm

6A

Benantal

8

Faldtid

9ns

Emballagetype

DSO

Driver-type

MOSFET

Antal udgange

2

Stigetid

10ns

Forsyningsspænding min.

15V

Forsyningsspænding maks.

17V

Antal drivere

2

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Højde

2.65mm

Bredde

6.4mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

7.6mm

Serie

1EDC60I12AH

Monteringstype

Overflade

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 1EDCxxI12AH er galvanisk isoleret IGBT-driver med en enkelt kanal i et PG-DSO-8-59 hus, der giver udgangsstrøm op til 10 A ved adskilte udgangsben. De logiske indgangsstifter fungerer på et bredt indgangsspændingsområde fra 3 V til 15 V ved hjælp af skaleret CMOS tærskelniveau til understøttelse af selv 3,3 V mikrokontroller. Dataoverførsel på tværs af isolationsbarrieren sker via den korløse transformer-teknologi.

1-kanals isoleret IGBT driver

Til 600 V/650 V/1200 V IGBT'er, MOSFET'er og SiC MOSFET'er

Op til 10 A typisk peak-strøm ved skinne-til-skinne udgange

Separat kilde- og sink-udgang

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.