Infineon MOSFET, MOSFET 2, 2.5 A, 8 Ben 20V, DSO

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (5 enheder, i en pakke med 5)*

Kr. 69,12

(ekskl. moms)

Kr. 86,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.405 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 13,824Kr. 69,12
25 - 45Kr. 11,744Kr. 58,72
50 - 120Kr. 10,92Kr. 54,60
125 - 245Kr. 10,232Kr. 51,16
250 +Kr. 9,41Kr. 47,05

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
226-6031
Producentens varenummer:
2ED2183S06FXUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Udgangsstrøm

2.5A

Benantal

8

Faldtid

30ns

Emballagetype

DSO

Antal udgange

2

Driver-type

MOSFET

Stigetid

15ns

Forsyningsspænding min.

20V

Forsyningsspænding maks.

20V

Antal drivere

2

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Serie

2ED2183S06F

Bredde

3.9mm

Længde

4.9mm

Højde

1.72mm

Standarder/godkendelser

No

Monteringstype

Overflade

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 2ED2183S06F er en højspændings, højhastigheds MOSFET og IGBT driver med uafhængige høj- og lavside-refererede udgangskanaler. Den er baseret på SOI-teknologi der er en fremragende robusthed og støjimmunitet med mulighed for at opretholde driftslogik ved negative spændinger på op til -11 von VS ben på transientspænding. Udgangsdriverne har et bufferstadie med høj impulsstrøm, der er designet til minimal overledning af driver.

Flydende kanal beregnet til bootstrap-drift

Driftsspændinger (VS-node) op til + 650 V.

Maks. bootstrap-spænding (VB-node) på + 675 V.

Integreret ultrahurtig bootstrap-diode med lav modstand

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.