Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- RS-varenummer:
- 226-6187P
- Producentens varenummer:
- IRS2109STRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 172,05
(ekskl. moms)
Kr. 215,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.625 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 45 | Kr. 6,882 |
| 50 - 120 | Kr. 6,478 |
| 125 - 245 | Kr. 5,998 |
| 250 + | Kr. 5,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 226-6187P
- Producentens varenummer:
- IRS2109STRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 290mA | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 80ns | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Antal udgange | 2 | |
| Stigetid | 100ns | |
| Forsyningsspænding min. | 20V | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 5mm | |
| Serie | IRS | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4mm | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 290mA | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 80ns | ||
Emballagetype SOIC | ||
Driver-type MOSFET | ||
Antal udgange 2 | ||
Stigetid 100ns | ||
Forsyningsspænding min. 20V | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 5mm | ||
Serie IRS | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4mm | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRS2109 er højspændings, højhastigheds MOSFET og IGBT driver med afhængig høj- og lav-side udgangskanal. Beskyttede HVIC- og LATCH immune CMOS-teknologier muliggør robust monolitisk konstruktion. Den logiske indgang er kompatibel med standard CMOS eller LSTTL udgang, ned til 3,3 V logik. Udgangsdriverne har et bufferstadie med høj impulsstrøm, der er designet til minimal overledning af driver.
Kryds-konduktiv forebyggelseslogik
Matchet signalforsinkelse for begge kanaler
Høj-side udgang i fase med IND indgang
Logik- og effektstelforskydning +/- 5 V