Infineon MOSFET, Gate-driver, 2.5 A, 16 Ben 600V, MLPQ
- RS-varenummer:
- 226-6192P
- Producentens varenummer:
- IRS2113MTRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 390,85
(ekskl. moms)
Kr. 488,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 45 | Kr. 15,634 |
| 50 - 120 | Kr. 14,572 |
| 125 - 245 | Kr. 13,494 |
| 250 + | Kr. 12,596 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 226-6192P
- Producentens varenummer:
- IRS2113MTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Gate-driver | |
| Udgangsstrøm | 2.5A | |
| Benantal | 16 | |
| Emballagetype | MLPQ | |
| Faldtid | 25ns | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Antal udgange | 2 | |
| Stigetid | 35ns | |
| Forsyningsspænding min. | 20V | |
| Forsyningsspænding maks. | 600V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 4mm | |
| Højde | 1mm | |
| Serie | IRS | |
| Bredde | 4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Gate-driver | ||
Udgangsstrøm 2.5A | ||
Benantal 16 | ||
Emballagetype MLPQ | ||
Faldtid 25ns | ||
Driver-type MOSFET | ||
Antal udgange 2 | ||
Stigetid 35ns | ||
Forsyningsspænding min. 20V | ||
Forsyningsspænding maks. 600V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 4mm | ||
Højde 1mm | ||
Serie IRS | ||
Bredde 4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRS2113MPBF er en højspændings, højhastigheds MOSFET og IGBT drivere med uafhængig høj- og lavside refereret udgangskanal. Beskyttede HVIC- og LATCH immune CMOS-teknologier muliggør robust monolitisk konstruktion. Den logiske indgang er kompatibel med standard CMOS eller LSTTL udgang, ned til 3,3 V logik. Udgangsdriveren har et bufferstadie med høj impulsstrøm, der er designet til minimal overledning af driver.
Flydende kanal beregnet til bootstrap-drift
Fuldt funktionsdygtig til +600 V
Tolerant over for negativ transientspænding - DV/dt immun
Gate-drive forsyningsområde fra 10 V til 20 V
Underspændingsspærring for begge kanaler