Infineon IRS2118STRPBF, MOSFET gate-driver, 290 mA, 20V, 8 Ben, SOIC

Infineon IRS2118 er højspændings, højhastigheds effekt MOSFET og IGBT driver. Beskyttede HVIC- og LATCH immune CMOS-teknologier muliggør robust, monotysk konstruktion. Den logiske indgang er kompatibel med standard CMOS-udgange. Udgangsdriveren har et bufferstadie med høj impulsstrøm, der er designet til minimal krydskonduktion. Den flydende kanal kan bruges til at drive en N-kanal MOSFET eller IGBT i høj- eller lav-side konfigurationen, som fungerer op til 600 V.

Gate-drevets forsyningsområde fra 10 V til 20 V.
Underspændingsspærring
CMOS Schmitt-udløste indgange med pull-down
Udgang i fase med indgang