onsemi NCD57090EDWR2G, IGBT drivermodul, 6,5 A, 20V, 8 Ben, SOIC

ON Semiconductor-serien NCD57090E er 1-kanals IGBT gate-drivere med høj strømstyrke med 5 kVARME intern galvanisk isolation, der er designet til høj systemeffektivitet og pålidelighed ved anvendelser med høj effekt. Enhederne accepterer komplementære indgange og tilbyder afhængigt af benkonfigurationen muligheder som f.eks. Active Miller Clamp (NCD57090E). NCD57090E har plads til et bredt udvalg af indgangsbias-spænding og signalniveauer fra 3.3 V til 20 V.

Forbedrer systemets effektivitet
Korte overførselsforsinkelser med nøjagtig matchning
Forbedrer PWM-signalets integritet
Høj transient og elektromagnetisk immunitet
Robusthed ved hurtig slew rate ved højspændings- og højstrøms-switching
5 KVrms galvanisk isolation på chip
Sparer omkostninger og plads på printet, samtidig med at ydeevnen forbedres i forhold til opto-drivere
Brede bias-spændingsområder og indgangsspændingsområde
Giver fleksibilitet i systemdesignet og muliggør brug af almindeligt tilgængelige systemspændingsskinner
Active Miller klemme eller negativ gate-spænding eller todelte udgange
Giver mulighed for at vælge den rigtige funktion i en kompakt pakke