AEC-Q100 onsemi IGBT, IGBT-modul, 6.5 A, 8 Ben 20V, SOIC
- RS-varenummer:
- 230-9048P
- Producentens varenummer:
- NCD57090EDWR2G
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 230-9048P
- Producentens varenummer:
- NCD57090EDWR2G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Udgangsstrøm | 6.5A | |
| Benantal | 8 | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Faldtid | 13ns | |
| Driver-type | IGBT | |
| Antal udgange | 5 | |
| Stigetid | 13ns | |
| Forsyningsspænding min. | 20V | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 4mm | |
| Serie | NCD57090 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Udgangsstrøm 6.5A | ||
Benantal 8 | ||
Emballagetype SOIC | ||
Faldtid 13ns | ||
Driver-type IGBT | ||
Antal udgange 5 | ||
Stigetid 13ns | ||
Forsyningsspænding min. 20V | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 4mm | ||
Serie NCD57090 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
ON Semiconductor-serien NCD57090E er 1-kanals IGBT gate-drivere med høj strømstyrke med 5 kVARME intern galvanisk isolation, der er designet til høj systemeffektivitet og pålidelighed ved anvendelser med høj effekt. Enhederne accepterer komplementære indgange og tilbyder afhængigt af benkonfigurationen muligheder som f.eks. Active Miller Clamp (NCD57090E). NCD57090E har plads til et bredt udvalg af indgangsbias-spænding og signalniveauer fra 3.3 V til 20 V.
Forbedrer systemets effektivitet
Korte overførselsforsinkelser med nøjagtig matchning
Forbedrer PWM-signalets integritet
Høj transient og elektromagnetisk immunitet
Robusthed ved hurtig slew rate ved højspændings- og højstrøms-switching
5 KVrms galvanisk isolation på chip
Sparer omkostninger og plads på printet, samtidig med at ydeevnen forbedres i forhold til opto-drivere
Brede bias-spændingsområder og indgangsspændingsområde
Giver fleksibilitet i systemdesignet og muliggør brug af almindeligt tilgængelige systemspændingsskinner
Active Miller klemme eller negativ gate-spænding eller todelte udgange
Giver mulighed for at vælge den rigtige funktion i en kompakt pakke